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FGH75T65SQDTL4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
FGH75T65SQDTL4 |
參數(shù)屬性 | FGH75T65SQDTL4 封裝/外殼為TO-247-4;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:650V FS4 TRENCH IGBT |
功能描述 | IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 75 A |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | TO-247-4LD / TO-247-4 |
文件大小 |
623.1 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-23 11:16:00 |
FGH75T65SQDTL4規(guī)格書詳情
FGH75T65SQDTL4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FGH75T65SQDTL4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
Description
Using novel field stop IGBT technology, onsemi’s new series of
field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance for
solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where
low conduction and switching losses are essential.
Features
? Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C
? Positive Temperature Co?efficient for Easy Parallel Operating
? High Current Capability
? Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.6 V @ IC = 75 A
? 100% of the Parts Tested for ILM
? High Input Impedance
? Fast Switching
? Tighten Parameter Distribution
? This Device is Pb?Free and is RoHS Compliant
Applications
? Solar Inverter, UPS, Welder, Telecom, ESS, PFC
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
FGH75T65SQDTL4
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,75A
- 開關(guān)能量:
307μJ(開),266μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
44ns/276ns
- 測試條件:
400V,18.8A,15 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-4
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247
- 描述:
650V FS4 TRENCH IGBT
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO247 |
9600 |
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三年內(nèi) |
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TO247 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO247 |
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原裝正品現(xiàn)貨 |
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24+ |
TO-247-4 |
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