FGH30N6S2D 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 FAIRCHILD/仙童半導(dǎo)體

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  • 廠(chǎng)家型號(hào):

    FGH30N6S2D

  • 產(chǎn)品分類(lèi):

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商:

    FAIRCHILD/仙童半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    30

  • 產(chǎn)品封裝:

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-10-26 16:30:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠(chǎng)料號(hào):FGH30N6S2D品牌:FAI

  • 芯片型號(hào):

    FGH30N6S2D

  • 規(guī)格書(shū):

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng):

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱(chēng):

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    12 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    287.27 kb

  • 資料說(shuō)明:

    600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode

產(chǎn)品參考屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FGH30N6S2D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,12A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    55μJ(開(kāi)),100μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    6ns/40ns

  • 測(cè)試條件:

    390V,12A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 45A 167W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    云S/廖S

  • 手機(jī):

    17727932378

  • 詢(xún)價(jià):
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