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FGA6560WDF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGA6560WDF
廠商型號

FGA6560WDF
參數(shù)屬性

FGA6560WDF 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN
功能描述

650 V, 60 A Field Stop Trench IGBT
絲印標(biāo)識

FGA6560WDF
封裝外殼

TO-3PN / TO-3P-3，SC-65-3
文件大小

2.49866 Mbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導(dǎo)體】

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-22 16:20:00

FGA6560WDF規(guī)格書詳情

Features

? Maximum Junction Temperature : TJ =175oC

? Positive Temperaure Co-efficient for Easy Parallel Operating

? High Current Capability

? Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.8 V(Typ.) @ IC = 60 A

? 100 of the Parts Tested for ILM(1)

? High Input Impedance

? Fast Switching

? RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    FGA6560WDF

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，60A

  • 開關(guān)能量：

    2.46mJ（開），520μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    25.6ns/71ns

  • 測試條件：

    400V，60A，6 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3PN

  • 描述：

    IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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