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FGA180N33AT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGA180N33AT
廠商型號(hào)

FGA180N33AT

參數(shù)屬性

FGA180N33AT 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 330V 180A 390W TO3P

功能描述

330V, 180A PDP Trench IGBT

封裝外殼

TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

657.47 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-28 19:22:00

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FGA180N33AT規(guī)格書詳情

General Description

Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses are essential.

Features

? High Current Capability

? Low saturation voltage: VCE(sat) =1.03V @ IC = 40A

? High input impedance

? RoHS compliant

Applications

PDP SYSTEM

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FGA180N33ATTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.4V @ 15V,40A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 330V 180A 390W TO3P

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價(jià)
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21+
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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