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FF300R12M

Trench gate Field-Stop IGBT

DESCRIPTION ·ShortCircuitRated＞10μs ·LowSwitchingLoss ·LowStrayInductance ·CopperWireBondingonPowerTerminal ·LeadFree,CompliantwithRoHSRequirement APPLICATIONS ·HybridElectricalVehicles(H)EV ·AutomotiveApplications ·CommercialAgricultureVehicles ·MotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FF300R12ME3

EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF300R12ME3

EconoDUAL Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF300R12ME3_13

EconoDUAL Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF300R12ME4

EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF300R12ME4

EconoDUAL3 Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF300R12ME4_13

EconoDUAL3 Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF300R12ME4_B11

EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT / NTC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF300R12ME4_B11

EconoDUAL3 Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

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FF300R12ME4_B11_13

EconoDUAL3 Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FF300R12M

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 500A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FF300R12M供應(yīng)商 更新時間2025-2-14 16:30:00

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