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FF200R12KT4HOSA1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-英飛凌

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原廠料號(hào)：FF200R12KT4HOSA1品牌：Infineon Technologies

資料說(shuō)明：IGBT MOD 1200V 320A 1100W

FF200R12KT4HOSA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝模塊的FF200R12KT4HOSA1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào)：

    ff200r12kt4hosa1

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT MOD 1200V 320A 1100W

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FF200R12KT4HOSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列：

    C

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置：

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.15V @ 15V，200A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無(wú)

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    IGBT MOD 1200V 320A 1100W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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