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FF200R12KE4

Technische Information / Technical Information

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF200R12KE4P

62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF200R12KE4HOSA1

包裝:散裝 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 1200V 240A 1100W

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF200R12KE4PHOSA1

包裝:散裝 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MODULE 1200V 200A

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    FF200R12KE4

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 IGBT-MODULE

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
-
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Modules
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全新原裝現(xiàn)貨誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)
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原裝模塊
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更多FF200R12KE4供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-15 15:46:00