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FDW2508PB中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FDW2508PB
廠商型號(hào)

FDW2508PB

功能描述

FDW2508PB Dual P-Channel -1.8V Specified PowerTrench MOSFET -12V, -6A, 18mohm

文件大小

450.2 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-22 12:00:00

FDW2508PB規(guī)格書詳情

General Description

This P-Channel –1.8V specified MOSFET uses Fairchild Semiconductor’s advanced low voltage PowerTrench?. It has been optimized for battery power management applications.

Features

■ Max rDS(on) = 18m? at VGS = –4.5V, ID = –6A

■ Max rDS(on) = 22m? at VGS = –2.5V, ID = –5A

■ Max rDS(on) = 30m? at VGS = –1.8V, ID = –4A

■ Low gate charge

■ High performance trench technology for extremely low rDS(on)

■ Low profile TSSOP-8 package

■ RoHS compliant

Application

■ Power management

■ Load switch

■ Battery protection

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDW2508PB

  • 功能描述:

    MOSFET -12V Dual P-Ch -1.8VSpecif MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FAI
24+
TSSOP8
5000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
2023+
MSOP8
6893
專注全新正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨供應(yīng)
詢價(jià)
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2020+
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8000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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