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FDS6699S中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDS6699S
廠商型號

FDS6699S

功能描述

30V N-Channel PowerTrench SyncFET

文件大小

526.65 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-19 23:00:00

FDS6699S規(guī)格書詳情

General Description

The FDS6699S is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDS6699S includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s monolithic SyncFET technology.

Features

■ 21 A, 30 V Max RDS(ON) = 3.6 m? @ VGS = 10 V Max RDS(ON) = 4.5 m? @ VGS = 4.5 V

■ Includes SyncFET Schottky body diode

■ High performance trench technology for extremely low RDS(ON) and fast switching

■ High power and current handling capability

■ 100 RG (Gate Resistance) tested

Applications

■ Synchronous Rectifier for DC/DC Converters –

■ Notebook Vcore low side switch

■ Point of Load low side switch

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDS6699S

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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