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FDS4501H中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FDS4501H
廠商型號(hào)

FDS4501H

功能描述

Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET

文件大小

1.39046 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-21 17:46:00

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FDS4501H規(guī)格書詳情

General Description

This complementary MOSFET half-bridge device is produced using Fairchild’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

Features

? Q1: N-Channel

9.3A, 30V RDS(on) = 18 mΩ @ VGS = 10V RDS(on) = 23 mΩ @ VGS = 4.5V

? Q2: P-Channel

–5.6A, –20V RDS(on) = 46 mΩ @ VGS = –4.5V RDS(on) = 63 mΩ @ VGS = –2.5V

Applications

? DC/DC converter

? Power management

? Load switch

? Battery protection

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDS4501H

  • 功能描述:

    MOSFET SO-8 COMP N-P-CH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FSC
24+
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5000
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來(lái)電查詢15919825718
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