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FDP6021P中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDP6021P
廠商型號

FDP6021P

功能描述

20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

80.52 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-23 22:58:00

FDP6021P規(guī)格書詳情

General Description

This P-Channel power MOSFET uses Fairchild’s low voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications.

Features

? –28 A, –20 V. RDS(ON) = 30 m? @ VGS = 4.5 V

RDS(ON) = 40 m? @ VGS = 2.5 V

RDS(ON) = 65 m? @ VGS = 1.8 V

? Critical DC electrical parameters specified at

elevated temperature

? High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

? 175°C maximum junction temperature rating

Applications

? Battery management

? Load switch

? Voltage regulator

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDP6021P

  • 功能描述:

    MOSFET TO-220

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FSC
2016+
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