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FDN360P中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDN360P
廠商型號

FDN360P

功能描述

P-Channel 2.5 V (D-S) MOSFET

絲印標(biāo)識

360

封裝外殼

SOT-23

文件大小

618.69 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-3-10 22:59:00

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FDN360P規(guī)格書詳情

General Description

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line power

loss and fast switching are required.

Features

Low gate charge (6.2 nC typical)

High performance trench technology for extremely low RDS(ON) .

High power version of industry Standard SOT-23 package.

higher power handling capability.

VDS (V) = -30V

I D= -2A (VGS=10V)

RDS(ON)< 80m? (VGS = -10V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDN360P

  • 功能描述:

    MOSFET SSOT-3 P-CH -30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
23+
SOT-23
88048
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
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