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FDN359BN中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

FDN359BN
廠商型號(hào)

FDN359BN

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

359B

封裝外殼

SOT-23

文件大小

331.27 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

EVVOSEMI翊歐

中文名稱(chēng)

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-27 17:30:00

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FDN359BN規(guī)格書(shū)詳情

General Description

This N-Channel Logic Level MOSFET is produced

using process that has been especially tailored to

minimize on-state resistance and yet maintain

superior switching performance.

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line power

loss and fast switching are required.

Features

VDS (V) = 30V

RDS(ON)< 46m? (VGS = 10V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDN359BN

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON(安森美)
6000
詢(xún)價(jià)
FAIRCHILD/仙童
24+
SSOT-3
45000
熱賣(mài)優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)
ON(安森美)
2023+
SOT-23(SOT-23-3)
4550
全新原裝正品
詢(xún)價(jià)
ON/安森美
22+
SOT-23
66000
保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨特價(jià)供應(yīng)
詢(xún)價(jià)
FAIRCHILD/仙童
18+
NA
30000
詢(xún)價(jià)
ON(安森美)
23+
SOT-23(SOT-23-3)
15890
公司只做原裝正品,假一賠十
詢(xún)價(jià)
FAIRCHILD/仙童
2001+
SOT23-3
3000
原裝現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)
ON
兩年內(nèi)
NA
3000
實(shí)單價(jià)格可談
詢(xún)價(jià)
FAIRCHILD/仙童
23+
SOT23
8500
只做原裝正品假一賠十為客戶(hù)做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
詢(xún)價(jià)
ON/安森美
21+
SOT-23
4800
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢(xún)價(jià)