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FDMS86101_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 100/20V Nch Power Trench航宇科工集團(tuán)

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  • 廠家型號(hào)：

    FDMS86101

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    600000

  • 產(chǎn)品封裝：

    PQFN8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    21+

  • 庫(kù)存類型：

    熱賣庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-1 22:43:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：FDMS86101品牌：ON/安森美

航宇科工半導(dǎo)體-中國(guó)航天科工集團(tuán)戰(zhàn)略合作伙伴!

  • 芯片型號(hào)：

    FDMS86101

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    561.648 kb

  • 資料說(shuō)明：

    類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：100V 連續(xù)漏極電流(Id)：12.4A 功率(Pd)：2.5W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,13A N 溝道，PowerTrench MOSFET，100V，60A，8mΩ 此 N 溝道 MOSFET 是使用先進(jìn)的 PowerTrench 工藝生產(chǎn)的，特別適用于最大程度降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持卓越的

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    FDMS86101

  • 功能描述：

    MOSFET 100/20V Nch Power Trench

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    13027918281

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13027918281

  • 傳真：

    0755-83790563

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟西10層A區(qū)10A08室

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