首頁>FDMS86101>芯片詳情

FDMS86101_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 100/20V Nch Power Trench賽芯源

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號：

    FDMS86101

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量：

    40000

  • 產(chǎn)品封裝：

    PQFN8L

  • 生產(chǎn)批號：

    2020+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時(shí)間：

    2022-6-12 10:12:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：FDMS86101品牌：ON

原裝正品,誠信經(jīng)營。

  • 芯片型號：

    FDMS86101

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大小：

    561.648 kb

  • 資料說明：

    類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：100V 連續(xù)漏極電流(Id)：12.4A 功率(Pd)：2.5W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,13A N 溝道，PowerTrench MOSFET，100V，60A，8mΩ 此 N 溝道 MOSFET 是使用先進(jìn)的 PowerTrench 工藝生產(chǎn)的，特別適用于最大程度降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持卓越的

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    FDMS86101

  • 功能描述：

    MOSFET 100/20V Nch Power Trench

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市賽芯源科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    歐陽先生

  • 手機(jī)：

    14776494148

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    14776494148

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路華勻大廈2棟527

相近型號