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FDI045N10A

N-Channel PowerTrench? MOSFET 100 V, 164 A, 4.5 m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

045N10A

100VN-ChannelMOSFET

?Fastswitchingspeed ?Lowgatecharge,QG=54nC(typical) ?Highperformancechanneltechnologycanachieveverylow RDS(on). ?Highpowerandhighcurrenthandlingcapacity ?MeetRoHSstandards ?VDS=100V ?ID(atVGS=10V)=100A ?RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

045N10N

OptiMOSTM3Power-Transistor

VDS100V RDS(on),max4.5mW ID64A Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Ideal

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

045N10N

OptiMOSTM3Power-Transistor,100V

Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ?Halogen-freeaccor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FDP045N10A

100VN-ChannelMOSFET

?Fastswitchingspeed ?Lowgatecharge,QG=54nC(typical) ?Highperformancechanneltechnologycanachieveverylow RDS(on). ?Highpowerandhighcurrenthandlingcapacity ?MeetRoHSstandards ?VDS=100V ?ID(atVGS=10V)=100A ?RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

FDP045N10A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=164A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDP045N10A

N-ChannelPowerTrench?MOSFET100V,164A,4.5m

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDPF045N10A

N-ChannelPowerTrench?MOSFET100V,67A,4.5m

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDPF045N10A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

HY045N10B

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

華羿微電華羿微電子股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    FDI045N10A

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    PowerTrench®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
23+
I2PAK(TO-262)
7793
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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FAIRCHILD
22+23+
TO-262
11100
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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FAIRCHILD/仙童
22+
TO-262
23336
原裝正品現(xiàn)貨
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FSC/ON
23+
原包裝原封 □□
7000
原裝進(jìn)口特價供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢 庫存
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FAIRCHILD/仙童
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FAIRCHILD/仙童
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FAIRCHILD/仙童
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FAIRCHILD仙童
23+
TO-2623L(I2PAK)
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FAIRCHILD/仙童
21+
TO-262
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全新原裝 公司現(xiàn)貨
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FAIRCHILD/仙童
23+
TO220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多FDI045N10A供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 16:12:00