FDG6321C中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
FDG6321C |
| 功能描述 | Dual N & P Channel Digital FET |
| 文件大小 |
196.89 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-25 19:02:00 |
| 人工找貨 | FDG6321C價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
FDG6321C規(guī)格書詳情
General Description
These dual N & P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETS. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
Features
■ N-Ch 0.50 A, 25 V, RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5V. RDS(ON) = 0.60 Ω @ VGS= 2.7 V.
■ P-Ch -0.41 A, -25 V,RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5V. RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7V.
■ Very small package outline SC70-6.
■ Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits(VGS(th) < 1.5 V).
■ Gate-Source Zener for ESD ruggedness (>6kV Human Body Model).
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
FDG6321C
- 功能描述：
MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC/ON |
23+ |
原包裝原封 □□ |
469102 |
原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢 庫(kù)存 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
FAICHILD |
24+ |
SC70-6 |
20000 |
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詢價(jià) | ||
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20+ |
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30000 |
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詢價(jià) |
