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FDN361	文件：946.07 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrench課? GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features ?1.8A,30V.RDS(on)=0.100	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDN361	文件：443.07 Kbytes Page：5 Pages	Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageapplicationsinnotebookcomputers, Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
FDN361	文件：329.21 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET GeneralDescription Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltage applicationsinnotebookcomputers,portablephones, PCMCIAcards,andotherbatterypoweredcircuits wherefastswitching,andlowin-linepowerlossare neededinaverysmalloutlinesurfacemountpackage. Feature	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
FDN361AN	文件：946.07 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrench課? GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features ?1.8A,30V.RDS(on)=0.100	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDN361BN	文件：103.85 Kbytes Page：5 Pages	30VN-Channel,LogicLevel,PowerTrenchMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelLogicLevelMOSFETsareproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesareparticularlysuitedforlowv	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDN361BN	文件：443.07 Kbytes Page：5 Pages	Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageapplicationsinnotebookcomputers, Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
FDN361BN	文件：329.21 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET GeneralDescription Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltage applicationsinnotebookcomputers,portablephones, PCMCIAcards,andotherbatterypoweredcircuits wherefastswitching,andlowin-linepowerlossare neededinaverysmalloutlinesurfacemountpackage. Feature	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
FOR361B	文件：371.12 Kbytes Page：4 Pages	Fiber-OpticReceiver Features Single+5VsupplyOpticalinput,TTLoutput10MBits/sNRZdatarate	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
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H361	文件：141.68 Kbytes Page：3 Pages	Safetyswitch,heavyduty,fusible,30A,3poles,20hp,20hp,600VAC/DC,NEMA1	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德電氣	SCHNEIDER
H361A	文件：121.69 Kbytes Page：2 Pages	Safetyswitch,heavyduty,fusible,30A,3poles,20hp,20hp,600VAC/DC,NEMA12K	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德電氣	SCHNEIDER
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更多FDG361N-NL供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-7 15:16:00

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