首頁(yè)>FDG1024N>芯片詳情

FDG1024N_PULSECORE/安森美_MOSFET Dual PT4 N 20/8V中聯(lián)芯一部

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    FDG1024N

  • 產(chǎn)品分類(lèi):

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    PULSECORE/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    9000

  • 產(chǎn)品封裝:

    SC70-6

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-11-1 16:10:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào):FDG1024N品牌:ON/原裝

只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十

  • 芯片型號(hào):

    FDG1024NZ

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱(chēng):

    微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    7 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    932.61 kb

  • 資料說(shuō)明:

    Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào):

    FDG1024N

  • 功能描述:

    MOSFET Dual PT4 N 20/8V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市中聯(lián)芯電子有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    張先生

  • 手機(jī):

    13714879722

  • 詢(xún)價(jià):
  • 電話:

    13714879722/0755-82725103

  • 傳真:

    0755-82701983

  • 地址:

    深圳市 福田區(qū) 振興路 上步管理大廈 501棟402室