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FDC6312P中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDC6312P
廠商型號

FDC6312P

功能描述

Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET

文件大小

88.81 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-10-25 22:56:00

FDC6312P規(guī)格書詳情

General Description

These P-Channel 1.8V specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

Features

? –2.3 A, –20 V.

RDS(ON) = 115 m? @ VGS = –4.5 V

RDS(ON) = 155 m? @ VGS = –2.5 V

RDS(ON) = 225 m? @ VGS = –1.8 V

? High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

? SuperSOTTM-6 package: small footprint (72 smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDC6312P

  • 功能描述:

    MOSFET SSOT-6 P-CH DUAL

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
24+
SOT23-6
10000
只做原裝,直接聯(lián)系
詢價
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2020+
SOT23-5
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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24+
SSOT-6
45000
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