婷婷五月综合缴情在线视频,美利坚精品视频,99久久亚洲美女综合部

首頁 >FDB306>規(guī)格書列表

零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
FDB306	文件：256.829 Kbytes Page：1 Pages	3 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC
FDD306P	文件：505.64 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VSpecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagement. Features ■–6.7A,–12V.RDS(ON)=28m?@VGS=–4.5VRDS(ON)=41m?@VGS=–2.5VRDS(ON)=90m?@VGS=–1.8V ■Fast	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDD306P	文件：679.42 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=-30V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDN306	文件：342.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8V(D-S)MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETuses Fairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagement applications. Applications ?Batterymanagement ?Loadswitch ?Batteryprotection Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
FDN306P	文件：144.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)=40m?@VGS=–4.5VRDS(ON)=50m?@VGS=–2.5VRDS(ON)=80m?@VGS=–	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDN306P	文件：1.00134 Mbytes Page：3 Pages	SingleP-ChannelPowerTrenchMOSFET	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
FDN306P	文件：468.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8V(D-S)MOSFET Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)=40mΩ@VGS=–4.5V RDS(ON)=50mΩ@VGS=–2.5V RDS(ON)=80mΩ@VGS=–1.8V ?Fastswitchingspeed ?Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) ?SuperSOTTM-3provideslowRDS(ON)and30higher powerhandlingcapabilitythanSOT	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)	UMW
FDN306P	文件：342.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8V(D-S)MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETuses Fairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagement applications. Applications ?Batterymanagement ?Loadswitch ?Batteryprotection Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
FDN306P-NL	文件：1.039829 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
FFM306	文件：24.18 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYSILICONRECTIFIER(VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Amperes)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FFM306	文件：69.8 Kbytes Page：2 Pages	Fastrecoverytype 3.0ASurfaceMountFastRecoveryRectifiers-50-1000V Features ?Batchprocessdesign,excellentpowerdissipationoffersbetterreverseleakagecurrentandthermalresistance. ?Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. ?Highcurrentcapability. ?Fastswitchi	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
FFM306	文件：82.53 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountFastRecoveryRectifiers Features: PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassication94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
FFM306	文件：316.388 Kbytes Page：2 Pages	3A800VFastrecoverydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
FFM306	文件：316.388 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
FFM306	文件：90.59 Kbytes Page：2 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
FFM306	文件：97.95 Kbytes Page：7 Pages	ChipFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
FFM306	文件：314.44 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●FastRecoveryTimeforHighEfficiency ●LowForwardVoltageDropandHighCurrentCapability ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
FFM306	文件：90.59 Kbytes Page：2 Pages	Fastrecoverytype	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
FFM306B	文件：177.83 Kbytes Page：9 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYSILICONRECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Ampere	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FFM306-BS	文件：98.56 Kbytes Page：7 Pages	ChipFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA

12 3 >>>

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FDB306
制造商：
DEC
制造商全稱：
DEC
功能描述：
3 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	FDB30N06L	FAIRCHILD	24+	TO-263	8866		詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	FDB30N06L	F	2020+	TO-263A	80000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	FDB30N06L	FAIRCHILD	2023+	TO-263	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	FDB30N06L	NXP/恩智浦	23+	TO-220AC	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	FDB30N06L	ON	21+	TO-263	100	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司	FDB30N06L	ON	22+	TO-263	32350	原裝正品假一罰十公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	FDB30N06L	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-263	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	FDB30N06L	FAIRCHILD/仙童	TO-263	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	FDB30N06L	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-263	42660	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	FDB30N06L	ON	23+	TO-263	28000	原裝正品	詢價(jià)

更多FDB306供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-17 16:30:00

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存