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FDB10AN06A0

N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,75A,10.5m?

Features ?rDS(ON)=9.5m?(Typ.),VGS=10V,ID=75A ?Qg(tot)=28nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQrrBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?Motor/BodyLoadControl ?ABSSystems ?PowertrainManagement

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDD10AN06A0

N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,50A,10.5m?

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDD10AN06A0Q

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=60V,ID=50A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FDP10AN06A0

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDP10AN06A0

N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,75A,10.5m?

Features ?rDS(ON)=9.5m?(Typ.),VGS=10V,ID=75A ?Qg(tot)=28nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQrrBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?Motor/BodyLoadControl ?ABSSystems ?PowertrainManagement

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FDB10AN06A0_Q

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel PowerTrench

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
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FAIRCHILD/仙童
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TO-263
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一級代理商進口原裝現(xiàn)貨、價格合理
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仙童
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TO-263
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一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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TO-263
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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更多FDB10AN06A0_Q供應商 更新時間2025-1-29 14:50:00

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