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零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
FCX591AQ	文件：409.2 Kbytes Page：7 Pages	40V PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofautomotiveapplications. Features ?BVCEO>-40V ?MaximumContinuousCurrentIC=-1A ?LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX591AQTA	文件：409.2 Kbytes Page：7 Pages	40V PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofautomotiveapplications. Features ?BVCEO>-40V ?MaximumContinuousCurrentIC=-1A ?LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX591AQTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 40V 1A SOT89-3	PAM Diodes Incorporated	PAM
FCX591ATA	文件：199.41 Kbytes Page：7 Pages	40VPNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT89 Features ?V(BR)CEO>-40V ?HighcurrentcapabilityIC=-1A ?LowsaturationvoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX591TA	文件：40.91 Kbytes Page：1 Pages	SOT89PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHPERFORMANCETRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
FMMT591	文件：130.19 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES LowEquivalentonresistanceRCE(sat)=355m?at1A COMPLEMENTARYTYPE-FMMT491 PARTMARKINGDETAIL-591	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT591	文件：244.65 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highsaturationvoltage. ●ComplementaryToFMMT491. ●ExcellentHFELinearity. APPLICATIONS ●Switchingappilication.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
FMMT591	文件：35.39 Kbytes Page：1 Pages	MediumPowerTransistor Features ●Lowequivalenton-resistance.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
FMMT591	文件：239.54 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistorPNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
FMMT591	文件：298.08 Kbytes Page：8 Pages	MediumpowerPNPtransistorinSOT23 Features ?BVCEO>-60V ?IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2APeakPulseCurrent ?Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance ?hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp ?ComplementaryNPNType:FMMT491 ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT591	文件：244.23 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistor Features ?HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF ?MoistureSensitivityLevel1 ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInformation) MaximumRatings@25°CUnlessOtherwiseSpecified	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
FMMT591	文件：434.99 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Lowequivalenton-resistance	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
FMMT591	文件：318.52 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FMMT591	文件：166.44 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Lowequivalenton-resistance	DCCOM Dc Components	DCCOM
FMMT591	文件：2.19348 Mbytes Page：4 Pages	PNPTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半導(dǎo)體東莞市平晶半導(dǎo)體科技有限公司	PJSEMI
FMMT591	文件：476.51 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features ?BVCEO>-60V ?IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2APeakPulseCurrent ?Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance ?hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp ?ComplementaryNPNType:FMMT491 ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT591	文件：211.36 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
FMMT591	文件：790.83 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),.ComplementarypairwithFMMT491. Applications Mediumpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
FMMT591	文件：250.88 Kbytes Page：4 Pages	NPNSwitchingTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
FMMT591	文件：1.1118 Mbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highsaturationvoltage. ●ComplementaryToFMMT491. ●ExcellentHFELinearity. APPLICATIONS ●Switchingappilication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG

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更多FCX591AQ供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-16 15:00:00

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