FAM65HR51DS2_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號:FAM65HR51DS2品牌:onsemi

資料說明:IGBT MODULE 650V 33A 135W

FAM65HR51DS2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝的FAM65HR51DS2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號:

    fam65hr51ds2

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  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明:

    IGBT MODULE 650V 33A 135W

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    FAM65HR51DS2

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 配置:

    半橋逆變器

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 描述:

    IGBT MODULE 650V 33A 135W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi
24+
NA
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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三年內(nèi)
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ON(安森美)
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onsemi
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onsemi(安森美)
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ON(安森美)
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