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F1129MBEVB

50Ω SE-In – 100Ω DIFF-Out Amplifier 3.0GHz to 4.2GHz

Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

F1129MBEVB

包裝：盒 類(lèi)別：開(kāi)發(fā)板，套件，編程器 射頻評(píng)估和開(kāi)發(fā)套件，開(kāi)發(fā)板 描述：BOARD

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

F1129MBNELI

50ΩSE-In–100ΩDIFF-OutAmplifier3.0GHzto4.2GHz

Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

GP1129

U.S.ELECTRICALDIVISIONMANCHESTER,NH03108

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商

HAT1129R

P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

HTT1129E

SiliconNPNEpitaxialTwinTransistor

Features ?Include2transistorsinasmallsizeSMDpackage:EMFPAK–6(6Leads:1.2x0.8x0.5mm)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HTT1129EZTL-E

SiliconNPNEpitaxialTwinTransistor

Features ?Include2transistorsinasmallsizeSMDpackage:EMFPAK–6(6Leads:1.2x0.8x0.5mm)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ISF1129

N-ChannelPowerMOSFET

DESCRIPTION ·AvalancheRated ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=230mΩ(Max)@VGS=10V ·100%avalanchetested APPLICATIONS ·HighPowerDensity ·EasytoMount ·SpaceSavings

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

LT1129

3A,5A,7.5ALowDropoutPositiveFixedRegulators

Features -Three-Terminal3.3V,3.6V,5Vand12V -OutputCurrentof3A,5Aor7.5A -OperatesDownto1VDropout -GuaranteedDropoutVoltageatMultipleCurrentLevels -LineRegulation:0.015 -LoadRegulation:0.1 -100ThermalLimitFunctionalTest -AdjustableVersionsAvailable

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LT1129

LowDropoutNegativeMicropowerRegulatorinThinSOT

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    F1129MBEVB

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    開(kāi)發(fā)板，套件，編程器 > 射頻評(píng)估和開(kāi)發(fā)套件，開(kāi)發(fā)板

  • 包裝：

    盒

  • 類(lèi)型：

    放大器

  • 頻率：

    3GHz ~ 4.2GHz

  • 配套使用/相關(guān)產(chǎn)品：

    F1129MB

  • 所含物品：

    板

  • 描述：

    BOARD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
24+
N/A
69000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
 詢(xún)價(jià)
RENESAS(瑞薩)/IDT
2447
VFQFPN-12(2x2)
315000
nan一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單
 詢(xún)價(jià)
RENESAS(瑞薩)/IDT
2021+
VFQFPN-12(2x2)
499
詢(xún)價(jià)
RENESAS瑞薩/IDT
23+
VFQFPN-12(2x2)
10000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢(xún)價(jià)
RENESAS(瑞薩)/IDT
24+
QFN12EP(2x2)
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
 詢(xún)價(jià)
Renesas Electronics Corporatio
24+
12-WFQFN 裸露焊盤(pán)
9350
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢(xún)價(jià)
SIPEX
23+
SOT-23-3
12735
詢(xún)價(jià)
MICREL
1742+
SOT23-6
98215
只要網(wǎng)上有絕對(duì)有貨!只做原裝正品!
 詢(xún)價(jià)
SYNOXO
19+
SOT23-6
70757
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢(xún)價(jià)
SYNOXO
18+
SOT-23-6
85600
保證進(jìn)口原裝可開(kāi)17%增值稅發(fā)票
 詢(xún)價(jià)
更多F1129MBEVB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-7 11:06:00

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