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F1060中文資料Polyfet數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

F1060
廠商型號

F1060

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

文件大小

38.16 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Polyfet RF Devices
企業(yè)簡稱

Polyfet

中文名稱

Polyfet RF Devices官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2024-12-24 17:37:00

F1060規(guī)格書詳情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

8Watts Single Ended

Package Style AP

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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