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SSM3J110TU

FieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSTypeHighSpeedSwitchingApplications

HighSpeedSwitchingApplications ?1.8Vdrive ?Lowon-resistance:Ron=240m?(max)(@VGS=?1.8V) Ron=145m?(max)(@VGS=?2.5V) Ron=94m?(max)(@VGS=?4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多ERJPA3J110V供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-1 9:30:00

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