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EMT1DXV6T1中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

EMT1DXV6T1
廠商型號

EMT1DXV6T1

功能描述

Dual General Purpose Transistor

文件大小

57.05 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-10 13:50:00

EMT1DXV6T1規(guī)格書詳情

Dual General Purpose Transistor

PNP Dual

This transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT?563 which is designed for low power surface mount applications.

Features

? Lead?Free Solder Plating

? Low VCE(SAT), < 0.5 V

? These are Pb?Free Devices

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    EMT1DXV6T1

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 100mA 60V Dual PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
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SOT563
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