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EMD05N50A	文件：198.78 Kbytes Page：6 Pages	N??hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMD05N50CS	文件：198.11 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS500V RDSON(MAX.)1.85Ω ID5A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMD05N50F	文件：175.26 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS500V RDSON(MAX.)1.85Ω ID5A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FMC05N50E	文件：331.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMC05N50E	文件：487.18 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
FMI05N50E	文件：484.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
FMP05N50E	文件：495.37 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
FMV05N50E	文件：446.87 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
FTP05N50D	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
H05N50	文件：48.44 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H05N50E	文件：48.44 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H05N50F	文件：48.44 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
NDD05N50Z	文件：299.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDD05N50Z	文件：166.6 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,1.25?	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDF05N50Z	文件：149.15 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDF05N50Z	文件：166.6 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,1.25?	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDF05N50Z	文件：318.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDF05N50Z	文件：979.66 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
NDF05N50ZG	文件：144.37 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,1.5Ohm	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	EMD05N50A	EMC	23+	TO-252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
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更多EMD05N50A供應(yīng)商更新時間2024-11-16 11:03:00

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