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IPB09N03LAG	文件：276.86 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel-Logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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