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EFC4612R-S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
EFC4612R-S |
參數(shù)屬性 | EFC4612R-S 封裝/外殼為4-XFBGA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 24V 6A EFCP |
功能描述 | Power MOSFET |
封裝外殼 | 4-XFBGA |
文件大小 |
768.13 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-4-22 18:37:00 |
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EFC4612R-S規(guī)格書詳情
EFC4612R-S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的EFC4612R-S晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications.
Features
? 2.5 V drive
? Common-Drain type
? ESD Diode-Protected Gate
? Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance
Applications
? 1-2 Cells Lithium-ion Battery Charging and Discharging Switch?
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
EFC4612R-S-TR
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝:
EFCP1313-4CC-037
- 封裝/外殼:
4-XFBGA
- 描述:
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
NA |
9000 |
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詢價 | ||
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ON |
23+ |
WLCSP-4 |
28000 |
原裝正品 |
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ON/安森美 |
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