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EFC4612R-S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

EFC4612R-S
廠商型號

EFC4612R-S

參數(shù)屬性

EFC4612R-S 封裝/外殼為4-XFBGA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

功能描述

Power MOSFET
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

封裝外殼

4-XFBGA

文件大小

768.13 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-22 18:37:00

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EFC4612R-S規(guī)格書詳情

EFC4612R-S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的EFC4612R-S晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications.

Features

? 2.5 V drive

? Common-Drain type

? ESD Diode-Protected Gate

? Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance

Applications

? 1-2 Cells Lithium-ion Battery Charging and Discharging Switch?

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    EFC4612R-S-TR

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    EFCP1313-4CC-037

  • 封裝/外殼:

    4-XFBGA

  • 描述:

    MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

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