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EEV-TG2A101M

120W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER

RFMD

RF Micro Devices

EEV-TG2A101M

60W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER

RFMD

RF Micro Devices

EEV-TG2A101M

30W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER

RFMD

RF Micro Devices

EEV-TG2A101M

90W GaN WIDE-BAND POWER AMPLIFIER

RFMD

RF Micro Devices

EEV-TG2A101M

Package:徑向,Can - SMD;包裝:散裝 類別:電容器 鋁電解電容器 描述:CAP ALUM 100UF 20% 100V SMD

PanasonicElectronicComponents

Panasonic Electronic Components

EL2A101KC

CHIPTYPE,LONGLIFEASSURANCE

DBLECTRODB Lectro Inc

迪貝電子

EL2A101KR

CHIPTYPE,LONGLIFEASSURANCE

DBLECTRODB Lectro Inc

迪貝電子

EL2A101KT

CHIPTYPE,LONGLIFEASSURANCE

DBLECTRODB Lectro Inc

迪貝電子

EL2A101LC

CHIPTYPE,LONGLIFEASSURANCE

DBLECTRODB Lectro Inc

迪貝電子

EL2A101LR

CHIPTYPE,LONGLIFEASSURANCE

DBLECTRODB Lectro Inc

迪貝電子

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    EEV-TG2A101M

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 類別:

    電容器 > 鋁電解電容器

  • 系列:

    TG

  • 包裝:

    散裝

  • 容差:

    ±20%

  • ESR(等效串聯(lián)電阻):

    300 毫歐 @ 100kHz

  • 不同溫度時使用壽命:

    125°C 時為 2000 小時

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C

  • 極化:

    極化

  • 等級:

    AEC-Q200

  • 應(yīng)用:

    汽車級

  • 大小 / 尺寸:

    0.630" 直徑(16.00mm)

  • 高度 - 安裝(最大值):

    0.650"(16.50mm)

  • 表面貼裝焊盤尺寸:

    0.669" 長 x 0.669" 寬(1

  • 描述:

    CAP ALUM 100UF 20% 100V SMD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Panasonic
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更多EEV-TG2A101M供應(yīng)商 更新時間2025-2-15 14:03:00