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ECH8602M-TL-H_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET N-CH 30V 6A ECH8硅原半導(dǎo)體

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  • 廠家型號(hào)：

    ECH8602M-TL-H

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量：

    29403

  • 產(chǎn)品封裝：

    ECH8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-1 10:16:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：ECH8602M-TL-H品牌：ON/安森美

原盒原標(biāo),正品現(xiàn)貨 誠信經(jīng)營 價(jià)格美麗 假一罰十

  • 芯片型號(hào)：

    ECH8602M-TL-H

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    305.31 kb

  • 資料說明：

    N-Channel Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    ECH8602M-TL-H

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 6A ECH8

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個(gè) N 溝道（雙） FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳硅原半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李運(yùn)鴻

  • 手機(jī)：

    18823676336/13418911282

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    18823676336

  • 地址：

    深圳市龍崗區(qū)坂田街道坂雪崗大道與永香路交匯處創(chuàng)匯國際中心706

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