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ECH8601M分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

ECH8601M
廠商型號(hào)

ECH8601M

參數(shù)屬性

ECH8601M 封裝/外殼為8-SMD,扁平引線;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 24V 8A ECH8

功能描述

N-Channel Power MOSFET
MOSFET N-CH 24V 8A ECH8

文件大小

309.2 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-27 23:00:00

ECH8601M規(guī)格書詳情

ECH8601M屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的ECH8601M晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    ECH8601M-C-TL-HX

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    8A(Tj)

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-ECH

  • 封裝/外殼:

    8-SMD,扁平引線

  • 描述:

    MOSFET N-CH 24V 8A ECH8

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
20+
TSSOP8
19570
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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ON/安森美
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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原廠原裝正品現(xiàn)貨
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