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EC3H02BA-TL-H_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-射頻-安森美半導體

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原廠料號：EC3H02BA-TL-H品牌：onsemi

資料說明：RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006

EC3H02BA-TL-H是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商ONSEMI/安森美半導體生產(chǎn)封裝3-XFDFN的EC3H02BA-TL-H晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    ec3h02ba-tl-h

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 資料說明：

    RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    EC3H02BA-TL-H

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    10V

  • 頻率 - 躍遷：

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1dB @ 1GHz

  • 增益：

    8.5dB

  • 功率 - 最大值：

    100mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 20mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    70mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-XFDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ECSP1006-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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ON Semiconductor
2022+
3-ECSP1006
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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onsemi
24+
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