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MTE53N50E

TMOSPOWERFET53AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.080OHM

ISOTOPTMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

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更多E53N50供應(yīng)商 更新時間2025-3-1 17:06:00

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