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DXTP07060BFG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

DXTP07060BFG
廠商型號

DXTP07060BFG

參數(shù)屬性

DXTP07060BFG 封裝/外殼為8-PowerVDFN;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

功能描述

60V PNP HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN PowerDI3333-8

封裝外殼

8-PowerVDFN

文件大小

814.2 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-4 18:58:00

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DXTP07060BFG規(guī)格書詳情

Features

BVCEO > -60V

Small Form Factor Thermally Efficient Package.

Enables Higher Density End Products

IC = -3A High Continuous Current

ICM = -6A Peak Pulse Current

Low Saturation Voltage VCE(SAT) < -250mV @ -1A

Complementary NPN Type: DXTN07060BFG

Rated to +175°C – Ideal For High Temperature Environment

Wettable Flank For Improved Optical Inspection

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

High Side Switch

MOSFET or IGBT Gate Driver

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DXTP07060BFGQ-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 300mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    140MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝,可潤濕側(cè)翼

  • 封裝/外殼:

    8-PowerVDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PowerDI3333-8(SWP)UX 類

  • 描述:

    PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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