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DXTN58100CFDB-7_分立半導體產品 晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個-PAM

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原廠料號：DXTN58100CFDB-7品牌：Diodes Incorporated

資料說明：SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-

DXTN58100CFDB-7是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商PAM/Diodes Incorporated生產封裝3-UDFN 裸露焊盤的DXTN58100CFDB-7晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

  • 芯片型號：

    dxtn58100cfdb-7

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    PAM詳情

  • 廠商全稱：

    Diodes Incorporated

  • 資料說明：

    SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    DXTN58100CFDB-7

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    260mV @ 400mA，4A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    180 @ 500mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    150MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-UDFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝：

    U-DFN2020-3（B 類）

  • 描述：

    SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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