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DS2118MB-T,R	文件：420.49 Kbytes Page：10 Pages	Ultra3LVD/SESCSITerminator DETAILEDDESCRIPTION TheDS2118MUltra3LVD/SESCSIterminatorisbothalow-voltagedifferential(LVD)andsingle-ended(SE)terminator.ThemultimodeoperationenablesthedesignertoimplementLVDincurrentproductswhileallowingtheend-userSE-backwardcompatibilitywithlegacydevices.If	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導體	Maxim
EM2118	文件：1.11156 Mbytes Page：1 Pages	PluggableTerminalBlockwithFlanges;(MateswithEM2218Series);5.08Centers	EATONEaton All Rights Reserved. 伊頓伊頓公司	EATON
ENA2118A	文件：58.25 Kbytes Page：5 Pages	AFControlLSI	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
ENA2118A	文件：55.82 Kbytes Page：5 Pages	AFControlLSI	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
FM2118	文件：179.88 Kbytes Page：7 Pages	SinglelithiumbatteryprotectionIC	FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd. 富滿微富滿微電子集團股份有限公司	FUMAN
FTD2118	文件：330.64 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat). ●ExcellentDCCurrentGainCharacteristics.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2118I	文件：354.01 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat). ●ExcellentDCCurrentGainCharacteristics.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GSC2118	文件：543.56 Kbytes Page：7 Pages	1.5ACMOSLOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR Description TheGSC2118ofpositive,linearregulatorfeaturelowgroundcurrent(45μAtyp.)withlowdropoutvoltage,makingthemidealforbatteryapplications. Outputvoltagesaresetatthefactoryandtrimmedto1.5accuracy. TheseruggeddeviceshavebothThermalShutdown,andCurrentFo	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GSC2118	文件：550.87 Kbytes Page：7 Pages	1.5ACMOSLowDropoutVoltageRegulator	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GUE2118	文件：137.01 Kbytes Page：3 Pages	USB2.0BoosterExtensionCable-39ft(TAACompliant)	IOGEAR iogear	IOGEAR
HSD2118J	文件：55.05 Kbytes Page：5 Pages	LOWVCE(sat)TRANSISTOR(20V,5A) Feature ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.6V(Typ.)(IC=4A/IB=0.1A) ?ExcellentDCCurrentGainCharacteristic ?ComplementstheHSB1386J Structure EpitaxialPlanarTypeNPNSiliconTransistor	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
HY2118	文件：1.59174 Mbytes Page：33 Pages	BatteryPacksProtectionICs	HYCONHYCON inc 纮康科技纮康科技公司	HYCON
IR2118	文件：272.83 Kbytes Page：18 Pages	Gatedrivesupplyrangefrom10to20V Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRF International Rectifier	IRF
IR2118	文件：161.12 Kbytes Page：18 Pages	SINGLECHANNELDRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRF International Rectifier	IRF
IR2118	文件：264.88 Kbytes Page：7 Pages	SINGLECHANNELDRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRF International Rectifier	IRF
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IR2118PBF	文件：161.12 Kbytes Page：18 Pages	SINGLECHANNELDRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRF International Rectifier	IRF
IR2118S	文件：161.12 Kbytes Page：18 Pages	SINGLECHANNELDRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRF International Rectifier	IRF
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IR2118SPBF	文件：161.12 Kbytes Page：18 Pages	SINGLECHANNELDRIVER Description TheIR2117/IR2118(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSoutputs.Theoutputdriverfeaturesahighpulsecurrentbuf	IRF International Rectifier	IRF

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