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DS1250Y-70

4096k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS12504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuch

Dallas

Dallas Semiconductor

DS1250Y-70

包裝:管件 封裝/外殼:32-DIP 模塊(0.600",15.24mm) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1250Y-70+

4096k Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS1250Y-70IND

4096k Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS1250Y-70IND+

4096k Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS1250Y-70IND

包裝:管件 封裝/外殼:32-DIP 模塊(0.600",15.24mm) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1250Y-70IND+

包裝:托盤 封裝/外殼:32-DIP 模塊(0.600",15.24mm) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DS1250Y-70

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    32-DIP 模塊(0.600",15.24mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
DALLAS
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全新原裝絕對自己公司現(xiàn)貨
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更多DS1250Y-70供應(yīng)商 更新時間2024-10-27 9:16:00