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DRV8343-Q1

具有電流分流放大器的汽車類 12V 至 24V 電池三相智能柵極驅(qū)動器; ? 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn) \n? 溫度等級 1:-40°C ≤ TA ≤ 125°C\n \n? 3 個獨(dú)立半橋柵極驅(qū)動器 \n? 專用源極 (SHx) 與漏極 (DLx) 引腳支持獨(dú)立 MOSFET 控制\n? 可驅(qū)動 3 個高側(cè)和 3 個低側(cè) N 通道 MOSFET (NMOS) \n \n? 智能柵極驅(qū)動架構(gòu) \n? 可調(diào)轉(zhuǎn)換率控制\n? 1.5mA 至 1A 峰值源電流\n? 3mA 至 2A 峰值灌電流\n \n? 支持 100% 占空比的柵極驅(qū)動器電荷泵 \n \n? 3 個集成式電流檢測放大器 (CSA) \n? 可調(diào)增益(5、10、20、40 V/V)\n? 雙向或單向支持\n \n? 提供 SPI (S) 和硬件 (H) 接口\n? 6x、3x、1x 和獨(dú)立的 PWM 模式\n? 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入\n? 電荷泵輸出可驅(qū)動反向電源保護(hù) MOSFET\n? 3.3V、30mA 線性穩(wěn)壓器\n? 集成式保護(hù) 特性 \n? VM 欠壓鎖定 (UVLO)\n? 電荷泵欠壓 (CPUV)\n? 電池短路 (SHT_BAT)\n? 接地短路 (SHT_GND)\n? MOSFET 過流保護(hù) (OCP)\n? 柵極驅(qū)動器故障 (GDF)\n? 熱警告和熱關(guān)斷 (OTW/OTSD)\n? 故障狀態(tài)指示器 (nFAULT);

DRV8343-Q1 器件是一款適用于三相應(yīng)用的 集成式柵極驅(qū)動器。此器件具有三個半橋柵極驅(qū)動器,每個驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。專用源極與漏極引腳支持對電磁閥應(yīng)用進(jìn)行獨(dú)立 MOSFET 控制。DRV8343-Q1 使用集成式電荷泵為高側(cè) MOSFET 生成足夠的柵極驅(qū)動電壓,并使用線性穩(wěn)壓器為低側(cè) MOSFET 生成足夠的柵極驅(qū)動電壓。此智能柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá) 1A 的峰值柵極驅(qū)動拉電流和 2A 的峰值柵極驅(qū)動灌電流。DRV8343-Q1 可由單一電源供電,支持適用于柵極驅(qū)動器的 5.5 至 60V 寬輸入電源電壓范圍。\n\n6x、3x、1x 和獨(dú)立輸入 PWM 模式可簡化與控制器電路的連接。柵極驅(qū)動器和器件的配置設(shè)置具有高度可配置性,可通過 SPI 或硬件 (H/W) 接口實(shí)現(xiàn)。 DRV8343-Q1 器件集成了三個低側(cè)電流檢測放大器,可在驅(qū)動級的全部三相位上進(jìn)行雙向電流檢測。\n\n提供了低功耗睡眠模式,實(shí)現(xiàn)較低的靜態(tài)電流消耗。針對欠壓鎖定、電荷泵故障、MOSFET 過流、MOSFET 短路、相位節(jié)點(diǎn)電源和接地短路、柵極驅(qū)動器故障和過熱情況提供內(nèi)部保護(hù)功能。故障狀況及故障詳情可通過 SPI 器件型號的器件寄存器顯示在 nFAULT 引腳上。

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

DRV8343-Q1

Automotive 5.5 to 60-V Three-Phase Smart Gate Driver With Three Integrated Current Shunt Amplifiers

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

DRV8343-Q1

12-V / 24-V Automotive Gate Driver Unit (GDU) with Independent Half Bridge Control and Three Integrated Current Sense Amplifiers

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

DRV8343-Q1_19

12-V / 24-V Automotive Gate Driver Unit (GDU) with Independent Half Bridge Control and Three Integrated Current Sense Amplifiers

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

技術(shù)參數(shù)

  • Control method:

    External Control

  • Architecture:

    Gate Driver

  • Control interface:

    6xPWM

  • Gate drive (A):

    1

  • Vs (Min) (V):

    5.5

  • Vs ABS (Max) (V):

    65

  • Features:

    Independent FET Control

  • Operating temperature range (C):

    -40 to 125

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更多DRV8343-Q1供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 17:00:00