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TPCF8304

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TPCF8304

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSIV)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=60m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.9S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=?10μA(max)(VDS=?30V) ?Enhancementmodel:Vth=?0.8to?2.0V,(VDS=?10V,ID=?1

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    DRV8304SRHAR

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    高壓側(cè)或低壓側(cè)

  • 通道類型：

    3 相

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    6V ~ 38V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，1.5V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    150mA，300mA

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    300ns，150ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    40-VFQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    40-VQFN（6x6）

  • 描述：

    IC SENSOR HALL EFFECT

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
TI(德州儀器)
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VQFN-40
9148
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更多DRV8304SRHAR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-21 10:05:00

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