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DRA5124E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

DRA5124E
廠商型號

DRA5124E

參數(shù)屬性

DRA5124E 封裝/外殼為SC-85;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

功能描述

Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC5124E

封裝外殼

SC-85

文件大小

351.75 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Panasonic Semiconductor
企業(yè)簡稱

Panasonic松下

中文名稱

松下電器官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-28 22:58:00

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DRA5124E規(guī)格書詳情

Silicon PNP epitaxial planar type

For digital circuits

Complementary to DRC5124E

DRA2124E in SMini3 type package

Features

? Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

? Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DRA5124E0L

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5mA,10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-85

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SMini3-F2-B

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
PANASONIC
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