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DMN2100UDM-7中文資料DIODES數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

DMN2100UDM-7
廠商型號

DMN2100UDM-7

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

117.29 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-29 11:30:00

DMN2100UDM-7規(guī)格書詳情

Description and Applications

This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

? General Purpose Interfacing Switch

? Power Management Functions

Features and Benefits

? Low On-Resistance

? Low Gate Threshold Voltage

? Low Input Capacitance

? Fast Switching Speed

? ESD Protected Gate

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    DMN2100UDM-7

  • 功能描述:

    MOSFET 900mW 20Vdss

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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