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DMN2053UVTQ	文件：472.18 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features ?LowOn-Resistance ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?TheDMN2053UVTQissuitableforautomotiveapplications requiringspecific	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2053UVTQ-13	文件：472.18 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features ?LowOn-Resistance ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?TheDMN2053UVTQissuitableforautomotiveapplications requiringspecific	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2053UVTQ-7	文件：472.18 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features ?LowOn-Resistance ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?TheDMN2053UVTQissuitableforautomotiveapplications requiringspecific	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2053UW	文件：488.19 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance (RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingit idealforhighefficiencypowermanagementapplications. ?GeneralPurposeInterfacingSwitch ?PowerManagementFunctions ?DC-	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2053UWQ	文件：549.85 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features ?LowOn-Resistance ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?TheDMN2053UWQissuitableforautomotiveapplications requiringspecificchangecontrol;thispartis	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ENA2053	文件：94.13 Kbytes Page：7 Pages	LinearVibratorDriverIC	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
EPC2053	文件：968.09 Kbytes Page：6 Pages	EnhancementModePowerTransistor	EPC-COEfficient Power Conversion Corporation. 高效變流技術(shù)高效變流技術(shù)公司	EPC-CO
HAT2053M	文件：27.39 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAT2053M	文件：63.87 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HAT2053M-EL-E	文件：63.87 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IRS2053MPBF	文件：435.42 Kbytes Page：22 Pages	3CHDigitalAudioAmplifier	IRF International Rectifier	IRF
ISG2053	文件：311.58 Kbytes Page：3 Pages	FastIGBTinNPT-technology DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.6V@IC=2A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·Lowthermalresistance APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·MotorDrives ·UPS,PFC ·Generalpurposeinverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
LTC2053	文件：288.65 Kbytes Page：12 Pages	Precision,Rail-to-RailInputandOutput,Zero-DriftInstrumentationAmplifierwithResistor-ProgrammableGain	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LTC2053	文件：228.07 Kbytes Page：16 Pages	Precision,Rail-to-Rail,Zero-Drift,Resistor-ProgrammableInstrumentationAmplifier	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LTC2053	文件：2.03547 Mbytes Page：18 Pages	Precision,Rail-to-Rail,Zero-Drift,Resistor-ProgrammableInstrumentationAmplifier	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LTC2053	文件：2.66454 Mbytes Page：28 Pages	PrecisionInstrumentationAmplifierwithLevelShiftandOutputClamping DESCRIPTION TheLT?6372-1isagainprogrammable,highprecisioninstrumentationamplifierthatdeliversindustryleadingDCprecision.Thishighprecisionenablessmallersignalstobesensedandeasescalibrationrequirements,particularlyovertemperature.TheLT6372-1incorporatesfeaturesin	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC2053	文件：3.00475 Mbytes Page：32 Pages	2μASupplyCurrent,LowIB,Zero-DriftOperationalAmplifiers FEATURES APPLICATIONS nLowSupplyCurrent:2μAMaximum(perAmplifier) nOffsetVoltage:5μVMaximum nOffsetVoltageDrift:0.02μV/°CMaximum nInputBiasCurrent: n3pATypical n30pAMaximum,–40°Cto85°C n100pAMaximum,–40°Cto125°C nIntegratedEMIFilter(114dBRejectionat1.8	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC2053	文件：4.90987 Mbytes Page：30 Pages	10μASupplyCurrent,LowIB,Zero-DriftOperationalAmplifier FEATURES APPLICATIONS nLowSupplyCurrent:10μAMaximum(perAmplifier) nOffsetVoltage:5μVMaximum nOffsetVoltageDrift:0.02μV/°CMaximum nInputBiasCurrent: n5pATypical n50pAMaximum,–40°Cto85°C n150pAMaximum,–40°Cto125°C nIntegratedEMIFilter(90dBRejectionat1.8	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
LTC2053CDD	文件：288.65 Kbytes Page：12 Pages	Precision,Rail-to-RailInputandOutput,Zero-DriftInstrumentationAmplifierwithResistor-ProgrammableGain	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LTC2053CDD	文件：228.07 Kbytes Page：16 Pages	Precision,Rail-to-Rail,Zero-Drift,Resistor-ProgrammableInstrumentationAmplifier	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER

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