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DMG6968UQ	文件：831.99 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description ThisMOSFETisdesignedtomeetthestringentrequirementsof automotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbya PPAPandisidealforusein: Applications ?Powermanagementfunctions ?DC-DCconverters ?Motorcontrols Features ?LowOn-Resistance ?Lo	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6968UQ-7	文件：831.99 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description ThisMOSFETisdesignedtomeetthestringentrequirementsof automotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbya PPAPandisidealforusein: Applications ?Powermanagementfunctions ?DC-DCconverters ?Motorcontrols Features ?LowOn-Resistance ?Lo	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6968UQ-7	文件：175.63 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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DMG6968UTS	文件：143.27 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features ?LowOn-Resistance ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage MechanicalData ?Case:TSSOP-8 ?CaseMaterial:MoldedPlastic,“Green”MoldingCompound.ULFlammabilityClassificationRating94V-0 ?MoistureSensitivity:Level1perJ-STD-020 ?Ter	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
GF6968A	文件：152.81 Kbytes Page：5 Pages	Common-DrainDualN-ChannelMOSFET Features ?AdvancedTrenchProcessTechnology ?HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance ?SpeciallyDesignedforLi-ionbatterypacksuse ?Designedforbattery-switchapplications	GE GE Industrial Company	GE
GF6968AD	文件：88.87 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeMOSFETDie Features ?AdvancedTrenchProcessTechnology ?HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance ?FastSwitching ?HightemperaturesolderinginaccordancewithCECC802/Reflowguaranteed ?LogicLevel ?IdealforLiionbatterypackapplications	GE GE Industrial Company	GE
H6968CS	文件：47.29 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6.5A)(BatterySwitch,ESDProtected) Features ?RDS(on)=32m?@VGS=2.5V,ID=5.5A ?RDS(on)=24m?@VGS=4.5V,ID=6.5A ?AdvancedTrenchProcessTechnology ?HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance ?SpeciallyDesignedforLiionBatteryPacksUse ?DesignedforBatterySwitchAppliactions ?ESDProtected	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H6968CTS	文件：42.24 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6.5A)BatterySwitch,ESDProtected) Features ?RDS(on)	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H6968S	文件：47.29 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6.5A)(BatterySwitch,ESDProtected) Features ?RDS(on)=32m?@VGS=2.5V,ID=5.5A ?RDS(on)=24m?@VGS=4.5V,ID=6.5A ?AdvancedTrenchProcessTechnology ?HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance ?SpeciallyDesignedforLiionBatteryPacksUse ?DesignedforBatterySwitchAppliactions ?ESDProtected	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
KI6968BEDQ	文件：53.16 Kbytes Page：2 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFETCommonDrain,ESDProtection	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
MAX6968	文件：304.39 Kbytes Page：12 Pages	16-Port,36VConstant-CurrentLEDDriver GeneralDescription TheMAX6971serial-interfacedLEDdriverprovides16open-drain,constant-current-sinkingLEDdriveroutputsratedat36V.TheMAX6971operatesfroma3Vto5.5Vsupply.TheMAX6971supplyandtheLEDs’supplyorsuppliescanpowerupinanyorder.Theconstant-currentoutputs	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
NTQD6968	文件：76.7 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET6.6Amps,20Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTQD6968N	文件：85.48 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET7.0A,20V,CommonDrain,DualN??hannel,TSSOP??	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
S6968	文件：101.85 Kbytes Page：2 Pages	SiPINphotodiode?14mmlensplasticpackage	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 濱松光子濱松光子學(xué)株式會社	HAMAMATSU
SH6968B	文件：390.85 Kbytes Page：26 Pages	SH69P20 [SINOWEALTH]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
SI6968ADQ	文件：62.21 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel2.5-V(G-S)BatterySwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI6968BE	文件：229.11 Kbytes Page：11 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團(tuán)	TFUNK
SI6968BEDQ	文件：256.69 Kbytes Page：11 Pages	DualN-Channel2.5V(G-S)MOSFETCommonDrain,ESDProtection FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFETs ?ESDprotected:3000V ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note ?*(Pb)-containingterminationsarenotRoHS-compliant. Exemptionsmayapply	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SI6968BEDQ	文件：224.29 Kbytes Page：11 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFETCommonDrain,ESDProtection	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
DMG6968UQ
制造商：
TYSEMI
制造商全稱：
TY Semiconductor Co., Ltd
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance

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更多DMG6968UQ供應(yīng)商更新時間2024-10-26 13:26:00

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