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DF150R12RT4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
DF150R12RT4 |
| 參數(shù)屬性 | DF150R12RT4 封裝/外殼為模塊；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD 1200V 150A 790W |
| 功能描述 | 34mm Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode |
| 封裝外殼 | 模塊 |
| 文件大小 |
649.28 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-17 18:26:00 |
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更多DF150R12RT4規(guī)格書(shū)詳情
DF150R12RT4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的DF150R12RT4晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
DF150R12RT4HOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
散裝
- IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 配置：
單斬波器
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.15V @ 15V，150A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
無(wú)
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
模塊
- 描述：
IGBT MOD 1200V 150A 790W
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
23+ |
AG34mm1 |
6000 |
誠(chéng)信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤(pán) |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
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詢價(jià) | |||
Infineon |
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Infineon(英飛凌) |
23+ |
AG-34mm-1 |
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詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
AG-34MM-1 |
25630 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
AG-34MM-1 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
AG-34MM-1 |
12700 |
買(mǎi)原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
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Infineon/英飛凌 |
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詢價(jià) |
