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DE150-102N02A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
DE150-102N02A |
參數(shù)屬性 | DE150-102N02A 封裝/外殼為6-SMD,扁平引線裸焊盤;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET N-CHANNEL DE150 |
功能描述 | RF Power MOSFET |
封裝外殼 | 6-SMD,扁平引線裸焊盤 |
文件大小 |
168.25 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
企業(yè)簡稱 |
IXYS |
中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-4-12 23:00:00 |
人工找貨 | DE150-102N02A價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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更多DE150-102N02A規(guī)格書詳情
N-Channel Enhancement Mode
Low Qg and Rg
High dv/dt
Nanosecond Switching
Features
? Isolated Substrate
? high isolation voltage (>2500V)
? excellent thermal transfer
? Increased temperature and power cycling capability
? IXYS advanced low Qg process
? Low gate charge and capacitances
? easier to drive
? faster switching
? Low RDS(on)
? Very low insertion inductance (<2nH)
? No beryllium oxide (BeO) or other hazardous materials
Advantages
? Optimized for RF and high speed switching at frequencies to 30MHz
? Easy to mount—no insulators needed
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
DE150-102N02A
- 制造商:
IXYS-RF
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 系列:
DE
- 包裝:
管件
- 晶體管類型:
N 通道
- 額定電流(安培):
2A
- 功率 - 輸出:
200W
- 封裝/外殼:
6-SMD,扁平引線裸焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
DE150
- 描述:
RF MOSFET N-CHANNEL DE150
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Littelfuse/IXYS |
24+ |
DE150 |
7350 |
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39800 |
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IXYS/艾賽斯 |
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TO-59 |
500 |
正規(guī)渠道原裝正品 |
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MURATA |
23+ |
65480 |
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IXYS/艾賽斯 |
23+ |
Description |
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