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G6N02L

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG6N02Lusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

MMDF6N02HD

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMDF6N02HD

DUALTMOSPOWERMOSFET6.0AMPERES20VOLTS

DualHDTMOSdevicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeaturelowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.DualHDTMOSdevicesaredesignedforuseinlowvoltage,highspeedswitchingapplication

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

PHKD6N02LT

DualN-channelTrenchMOSlogiclevelFET

1.1Generaldescription DuallogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PHKD6N02LT

DualN-channelTrenchMOSlogiclevelFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PHKD6N02LT

DualTrenchMOSlogiclevelFET

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

WFY6N02

20VN??hannelMOSFET

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司

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更多D6N02供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-25 16:30:00

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