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D1065C5

5t h Generation thinQ!TM 650V SiC Schottky Diode

1Description Features ?Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide ?Benchmarkswitchingbehavior ?Noreverserecovery/Noforwardrecovery ?Temperatureindependentswitchingbehavior ?Highsurgecurrentcapability ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedaccordin

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AD1065C5

650V/10ASiliconCarbideSchottkyDiodeinTO247-3CoolSiC?AutomotiveSchottkyDiode650VG5

Features ?Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide ?Benchmarkswitchingbehavior ?Noreverserecovery/Noforwardrecovery ?Temperatureindependentswitchingbehavior ?Highsurgecurrentcapability ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?JunctionTemperaturerangefrom-

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供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON
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INFINEON/英飛凌
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更多D1065C5供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 16:30:00

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